特許

J-GLOBAL ID：200903004164811540

高酸素感受性シリコン層及びその製造方法

発明者： ファブリス・アミー ,  クリスチャン・ブリリンスキー ,  ジェラール・デュジャルダン ,  アンナ・アンリーク ,  アンドリュー・メーヌ ,  パトリック・スキアシアン
出願人/特許権者： コミツサリア タ レネルジー アトミーク
代理人 (1件)： 志賀 正武 (外7名)
公報種別：公表公報
出願番号（国際出願番号）：特願2001-540827
公開番号（公開出願番号）：特表2003-515517
出願日： 2000年11月27日
公開日（公表日）： 2003年05月07日
要約：

【要約】高酸素感受性シリコン層とこの層を得る方法に関する。例えば、SiCの基板(4)上に形成されたこの層(2)は4x3表面構造を有する。それを得るために、シリコンは実質的に均一に基板の表面上に堆積される。本発明は例えば、マイクロエレクトロニクスにおいて応用される。

請求項（抜粋）：

基板上に形成されたシリコン層であって、シリコン層(2)は4x3表面構造を有し、基板(4)はこのようなシリコンの4x3表面構造を受容することができ、又は、この構造の形成に適したものであることを特徴とする基板上に形成されたシリコン層。

IPC (4件)：

C30B 29/06 ,  H01L 21/20 ,  H01L 21/203 ,  H01L 29/78

FI (4件)：

C30B 29/06 A ,  H01L 21/20 ,  H01L 21/203 Z ,  H01L 29/78 301 G

Fターム (32件)：

4G077AA03 ,  4G077AB10 ,  4G077BA04 ,  4G077DA01 ,  4G077EC01 ,  4G077ED06 ,  4G077EE01 ,  4G077SA04 ,  4G077SA06 ,  4G077SA11 ,  5F052DA01 ,  5F052GC01 ,  5F052GC03 ,  5F052JA01 ,  5F103AA01 ,  5F103DD16 ,  5F103HH03 ,  5F103NN01 ,  5F103PP03 ,  5F103RR10 ,  5F140AA00 ,  5F140AA39 ,  5F140BA01 ,  5F140BA02 ,  5F140BA20 ,  5F140BD05 ,  5F140BE01 ,  5F140BE02 ,  5F140BE05 ,  5F140BE07 ,  5F140BE09 ,  5F140BE10

引用特許：

審査官引用 (1件)

• 炭化珪素薄膜の製造方法及び製造装置
  公報種別：公開公報   出願番号：特願平5-316190   出願人：松下電器産業株式会社

引用文献：

審査官引用 (1件)

• Formation of single domain Si(001)4x3-In surface by surface electromigration