特許

J-GLOBAL ID：200903004164844510

窒化物系化合物半導体発光素子

発明者： 幡 俊雄 ,  山本 健作
出願人/特許権者： シャープ株式会社
代理人 (1件)： 小池 隆彌
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平11-281168
公開番号（公開出願番号）：特開2001-102631
出願日： 1999年10月01日
公開日（公表日）： 2001年04月13日
要約：

【要約】【課題】 p型用パッド電極及びp型透光性電極と同一平面上の周囲に形成されたn型電極を有する窒化ガリムウ系化合物半導体発光素子において、発光がn型電極によって妨げられ、外部発光効率が下がってしまう。【解決手段】 同一平面上にp、n電極を有し、n電極はn型周縁電極とn型用パッド電極から構成されており、n型周縁電極の表面は発光層の下面よりも低い位置に形成する。

請求項（抜粋）：

基板上にn型半導体層、発光層、p型半導体層が形成され、n型電極とp型電極が基板と反対側に形成され、n型電極はn型周縁電極とn型用パッド電極から形成されており、n型周縁電極はp型電極の周りに形成されており、p型電極の形成された側から光を取り出す窒化物系化合物半導体発光素子において、n型周縁電極の上面の位置は、発光層の下面の位置よりも低いことを特徴とする窒化物系化合物半導体発光素子。

IPC (3件)：

H01L 33/00 ,  H01S 5/042 610 ,  H01S 5/323

FI (4件)：

H01L 33/00 C ,  H01L 33/00 E ,  H01S 5/042 610 ,  H01S 5/323

Fターム (23件)：

5F041AA04 ,  5F041CA05 ,  5F041CA34 ,  5F041CA46 ,  5F041CA65 ,  5F041CA74 ,  5F041CA76 ,  5F041CA82 ,  5F041CA83 ,  5F041CA88 ,  5F041CA92 ,  5F041CA93 ,  5F041DA07 ,  5F073AA73 ,  5F073CA07 ,  5F073CB05 ,  5F073CB07 ,  5F073CB22 ,  5F073CB23 ,  5F073DA05 ,  5F073DA24 ,  5F073EA24 ,  5F073FA27