特許
J-GLOBAL ID：200903004165657420
多層金属配線の形成方法
発明者：
,
,
,
出願人/特許権者：
代理人 (1件)：
前田 弘 (外2名)
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平7-069150
公開番号（公開出願番号）：特開平7-335758
出願日： 1995年03月28日
公開日（公表日）： 1995年12月22日
要約：
【要約】【目的】 低温下で形成され吸湿しやすい層間絶縁膜を用いるにも拘らず、層間絶縁膜が吸湿しないようにすることにより、第2層の金属配線の腐食や断線を防止する。【構成】 半導体基板1上にアルミニウム又はアルミニウム合金よりなる第1層の金属配線2を形成する。第1層の金属配線2が形成された半導体基板1上に500°C以下の温度下において、第1の層間絶縁膜としての第1のSiO2 膜3及び第2の層間絶縁膜としてのSOG膜4を順次形成する。SOG膜4の上に疎水性を有する分子層10を形成した後、該分子層10の上に第3の層間絶縁膜としての第2のSiO2 膜5を形成する。第1のSiO2 膜3、SOG膜4及び第2のSiO2 膜5を所望形状にエッチングした後、第2のSiO2 膜5の上に第2層の金属配線を形成する。
請求項（抜粋）：
半導体基板上にアルミニウム又はアルミニウム合金よりなる第1層の金属配線を形成する第1の工程と、前記第1層の金属配線が形成された半導体基板上に500°C以下の温度下において層間絶縁膜を形成する第2の工程と、前記500°C以下の温度下において形成された層間絶縁膜の上に疎水性を有する分子層を形成する第3の工程と、前記分子層が形成された層間絶縁膜を所望形状にエッチングする第4の工程と、前記エッチングされた層間絶縁膜の上に第2層の金属配線を形成する第5の工程とを備えていることを特徴とする多層金属配線の形成方法。
IPC (2件)：
H01L 21/768
, H01L 21/316
