特許
J-GLOBAL ID:200903004168061391

CSS法により基板にCdS及びCdTe層を蒸着させるための装置

発明者:
出願人/特許権者:
代理人 (1件): 伊東 忠彦 (外1名)
公報種別:公開公報
出願番号(国際出願番号):特願2000-089080
公開番号(公開出願番号):特開2000-303168
出願日: 2000年03月28日
公開日(公表日): 2000年10月31日
要約:
【要約】【課題】 本発明は、大規模蒸着と連続蒸着工程に適し、CSSの形でのPVD方法により、基板にCdS及びCdTe層を蒸着させる装置を提供することを目的とする。【解決手段】 被蒸着材料源(70)の加熱容器(20)と前記容器の開口部(20)に対して面する蒸着層を設けるべき面のある基板を保持するキャリア手段とを具備し、CSS法(閉鎖空間昇華法)によりCdS及びCdTe層を基板に蒸着させる装置において、前記容器開口部(22)には昇華材料用の複数の貫通孔(32)を具備するカバー(30)を設け、前記カバーは前記基板(60)から前記材料供給源(70)を分離し、基板に対する昇華ソースとして働く前記容器(20)の温度よりも高い温度に加熱し、前記手段は前記カバー(30)に対して前記CSS法の閉鎖空間距離に対応する距離(A)に前記基板(60)を保持する。
請求項(抜粋):
被蒸着材料源(70)の加熱容器(20)と前記容器の開口部(20)に対して面する蒸着層を設けるべき面のある基板を保持するキャリア手段とを具備し、CSS法(閉鎖空間昇華法)によりCdS及びCdTe層を基板に蒸着させる装置であって、前記容器開口部(22)に昇華材料用の複数の貫通孔(32)を具備するカバー(30)を設け、前記カバーは前記基板(60)から前記材料供給源(70)を分離し、基板に対する昇華ソースとして働く前記容器(20)の温度よりも高い温度に加熱し、前記手段は前記カバー(30)に対して前記CSS法の閉鎖空間距離に対応する距離(A)に前記基板(60)を保持することを特徴とする装置。
IPC (3件):
C23C 14/24 ,  C23C 14/06 ,  H01L 31/04
FI (3件):
C23C 14/24 N ,  C23C 14/06 G ,  H01L 31/04 E

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