特許
J-GLOBAL ID：200903004169338192
半導体装置
発明者：
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出願人/特許権者：
代理人 (1件)：
井桁 貞一
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平4-054668
公開番号（公開出願番号）：特開平5-259430
出願日： 1992年03月13日
公開日（公表日）： 1993年10月08日
要約：
【要約】【目的】 ハイブリッド型光検知装置に関し、該装置を液体窒素温度より室温迄の温度変動の雰囲気に曝した場合でも金属バンプが位置ずれしない装置の提供を目的とする。【構成】 第1の半導体基板1上に形成された半導体装置3と、第2の半導体基板5上に形成された半導体装置13とを、金属バンプ9,10を用いて電気的に結合するハイブリッド型半導体装置において、第1、あるいは第2の何れか一方の半導体基板1,5 を薄層化して、該薄層化した半導体基板1に、該薄層化していない半導体基板5に近い熱膨張係数をもつ支持基板21を接着することで構成する。
請求項（抜粋）：
第1の半導体基板(1) 上に形成された半導体装置(3) と、第2の半導体基板(5) 上に形成された半導体装置(13)とを、金属バンプ(9,10)を用いて電気的に結合するハイブリッド型半導体装置において、第1、あるいは第2の何れか一方の半導体基板(1,5) を薄層化して、該薄層化した半導体基板(1) に、該薄層化していない半導体基板(5) に近い熱膨張係数をもつ支持基板(21)を接着することを特徴とする半導体装置。
IPC (2件)：
FI (2件)：
H01L 27/14 F
, H01L 31/10 A
