半導体装置及びその製造方法

発明者：
出願人/特許権者：
代理人 (1件)：清水守 (外1名)
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平8-064269
公開番号（公開出願番号）：特開平9-260491
出願日： 1996年03月21日
公開日（公表日）： 1997年10月03日
要約：

【要約】【課題】半導体装置の劣化を防止し、かつ安全な工程によって製造し得る半導体装置及びその製造方法を提供する。【解決手段】半導体基板1上には、トランジスタ2等が設けられ、その上にBPSG膜3が形成される。その上には第1層配線4が形成され、層間絶縁膜としての酸化されたポリヒドロシラザン系SOG膜7の上に無機SOG膜6が形成されている。

請求項（抜粋）：

半導体装置において、層間絶縁膜として、ポリヒドロシラザン系SOG膜の上に、無機SOG膜を形成したことを特徴とする半導体装置。

IPC (3件)：

H01L 21/768 , H01L 21/316 , H01L 21/31

FI (3件)：

H01L 21/90 M , H01L 21/316 G , H01L 21/95

引用特許：

審査官引用 (5件)

半導体装置の製造方法
公報種別：公開公報出願番号：特願平6-134382 出願人：富士通株式会社
集積回路装置の製造方法
公報種別：公開公報出願番号：特願平4-042770 出願人：富士通株式会社, 株式会社九州富士通エレクトロニクス
半導体装置およびその製造方法
公報種別：公開公報出願番号：特願平5-263356 出願人：株式会社日立製作所, 株式会社日立マイコンシステム

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