特許
J-GLOBAL ID:200903004180409069

光機能デバイス

発明者:
出願人/特許権者:
公報種別:公開公報
出願番号(国際出願番号):特願2004-328210
公開番号(公開出願番号):特開2006-113506
出願日: 2004年10月15日
公開日(公表日): 2006年04月27日
要約:
【課題】石英系光波回路プロセス中で起こるシリコン基板のそりにより発生する複屈折性を無くすことと光機能デバイスの薄膜ヒータを構成する薄膜形成時の内部応力発生をゼロにすることで安定性や長期信頼性を向上させる。【解決手段】シリコン基板102上に石英系光導波路101を形成後、シリコン基板102と石英系光導波路101の膨張係数の差に圧縮応力に伴うが、Ta2O5薄膜100からなる絶縁体薄膜を堆積させ、引張応力薄膜を形成した、入出力ポートに3dBの方向性結合器と熱光学移相器を有するマッハツェンダ型干渉計構成の光スイッチ。【選択図】 図1
請求項(抜粋):
シリコン基板上に下部クラッド層、コア、上部クラッド層からなる石英系光導波回路が配置された熱光学効果を利用する干渉計型または分岐型の光機能デバイスにおいて、シリコン基板上に形成された石英系光導波回路表面に引張応力薄膜を形成し該光導波路のコアの所定領域の真上に位置する該引張応力薄膜上に設けられた薄膜ヒータを構成する薄膜が圧縮応力薄膜と引張応力薄膜を重ねてなることを特徴とする光機能デバイス。
IPC (3件):
G02F 1/01 ,  G02F 1/313 ,  G02B 6/12
FI (3件):
G02F1/01 C ,  G02F1/313 ,  G02B6/12 H
Fターム (23件):
2H047KA03 ,  2H047KA12 ,  2H047LA12 ,  2H047NA01 ,  2H047PA03 ,  2H047PA04 ,  2H047QA04 ,  2H047QA07 ,  2H079AA06 ,  2H079AA12 ,  2H079BA03 ,  2H079CA01 ,  2H079CA05 ,  2H079DA17 ,  2H079EA04 ,  2H079EB27 ,  2K002AA01 ,  2K002AA02 ,  2K002AB04 ,  2K002BA13 ,  2K002CA02 ,  2K002DA07 ,  2K002GA05
引用特許:
審査官引用 (3件)

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