回路内蔵受光素子

発明者： , ,
出願人/特許権者：
代理人 (1件)：深見久郎
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平7-050940
公開番号（公開出願番号）：特開平8-250690
出願日： 1995年03月10日
公開日（公表日）： 1996年09月27日
要約：

【要約】【目的】フォトダイオードの表面に形成されたエピタキシャル層の下方に埋込まれた拡散層によるポテンシャルバリアによる光感度の低下を防止し、光感度を向上させる。【構成】 P型シリコン基板1の表面にN型エピタキシャル層5を形成し、両者の間に前記エピタキシャル層より高濃度のN型拡散層2-1,2-2,2-3,...を形成する。その幅dは次の式のようにする。【数1】

請求項（抜粋）：

第1の導電型の半導体基板の上に形成されたフォトダイオードと信号処理回路を有する回路内蔵受光素子において、フォトダイオード領域の第1の導電型の半導体基板とその表面に形成された第2の導電型のエピタキシャル層との間に、複数の領域に分割して埋込まれた第2の導電型の半導体層を備え、その幅dは、【数1】の範囲としたことを特徴とする回路内蔵受光素子。

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