特許
J-GLOBAL ID：200903004201662770
基材処理方法およびその装置
発明者：
出願人/特許権者：
代理人 (1件)：
山本 惠二
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平7-329601
公開番号（公開出願番号）：特開平9-143699
出願日： 1995年11月24日
公開日（公表日）： 1997年06月03日
要約：
【要約】【課題】 基材に対する薄膜の密着性や表面改質作用を低下させることなく、基材の尖った部分でのエッチング現象を抑制する。【解決手段】 アーク式蒸発源14の陰極16の前面近傍のプラズマ生成部17と基材8との間に、プラズマ生成部17で生成したプラズマ18中のイオンが基材8へ向かう経路を遮るように、メッシュ状の中間電極24を配置した。更に、この中間電極24の電位をプラズマ生成部17の電位と基材8の電位との中間電位に保つ中間電極電源26を設けた。
請求項（抜粋）：
真空容器内のプラズマ生成部でプラズマを生成し、基材に印加した負のバイアス電圧によってこのプラズマ中のイオンを基材に向けて加速して基材に薄膜形成等の処理を施す基材処理方法において、前記プラズマ生成部と基材との間に、プラズマ生成部で生成したプラズマ中のイオンが基材へ向かう経路を遮るようにメッシュ状の中間電極を配置し、この中間電極の電位をプラズマ生成部の電位と基材の電位との中間電位に保って基材を処理することを特徴とする基材処理方法。
IPC (2件)：
FI (2件)：
C23C 14/32 C
, H01J 37/317 Z
