表示素子用の薄膜トランジスタ基板及び製造方法

発明者： , ,
出願人/特許権者：
代理人 (9件)：岡部正夫 , 加藤伸晃 , 産形和央 , 岡部讓 , 臼井伸一 , 越智隆夫 , 本宮照久 , 朝日伸光 , 三山勝巳
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2004-300521
公開番号（公開出願番号）：特開2005-122182
出願日： 2004年10月14日
公開日（公表日）： 2005年05月12日
要約：

【課題】3マスク工程で製造できる表示素子用の薄膜トランジスタ基板及びその製造方法を提供する。【解決手段】ゲート電極、ソース電極、ソース電極と対向するドレイン電極、前記ソース電極及びドレイン電極の間のチャンネル領域を含む半導体層から構成された薄膜トランジスタと;前記ゲート・ライン及びデータ・ラインと薄膜トランジスタを囲む保護膜及びゲート絶縁膜に形成されて画素領域の内外部に配置されるガソホールの一側内に形成されて前記ドレイン電極と側面に接続された画素領域と;前記ゲート・ラインの第1部分と前記ゲート絶縁膜、半導体層を間に置いて形成された第1ストレッジの上部電極に構成された第1ストレッジ・キャパシティと;前記ゲート・ラインの第2部分と前記ゲート絶縁膜を間に置いて形成されて第1ストレッジの上部電極の側面と接続される第2ストレッジの上部電極に構成された第2ストレッジ・キャパシティとを具備する【選択図】図7

請求項（抜粋）：

ゲート・ラインと;前記ゲート・ラインと交差して画素領域を決定するデータ・ラインと;前記ゲート・ライン及びデータ・ラインの間に形成されたゲート絶縁膜と;前記ゲート・ラインと接続されたゲート電極、前記データ・ラインと接続されたソース電極、ソース電極と対向するドレイン電極、前記ソース電極及びドレイン電極の間のチャンネル領域を含んで前記ゲート電極、ソース電極及びドレイン電極の間に形成される半導体層を含んで前記ゲート・ライン及びデータ・ラインの交差部に形成される薄膜トランジスタと;前記ゲート・ライン及びデータ・ラインと薄膜トランジスタを囲む保護膜と;前記画素領域で前記保護膜及びゲート絶縁膜に形成されて画素領域の内部及び外部に配置される画素ホールと;前記画素領域の内部に配置された画素ホールの一端に形成され前記ドレイン電極の側面に接続された画素領域と;前記ゲート・ラインの第1部分と、そのゲート・ラインの第1部分と前記ゲート絶縁膜、半導体層を間に置いて形成された第1ストレッジの上部電極に構成された第1ストレッジ・キャパシティと;前記ゲート・ラインの第2部分と、そのゲート・ラインの第2部分と前記ゲート絶縁膜を間に置いて形成され第1ストレッジの上部電極の側面と接続される、第2ストレッジの上部電極に構成された第2ストレッジ・キャパシティとを具備することを特徴とする表示素子用の薄膜トランジスタ基板。

IPC (5件)：

G02F1/1368 , G02F1/1345 , G09F9/30 , H01L21/336 , H01L29/786

FI (6件)：

G02F1/1368 , G02F1/1345 , G09F9/30 330Z , G09F9/30 338 , H01L29/78 612D , H01L29/78 612C

Fターム (61件)：

2H092GA29 , 2H092GA40 , 2H092GA43 , 2H092JA26 , 2H092JA28 , 2H092JA34 , 2H092JA37 , 2H092JA41 , 2H092JA46 , 2H092JA47 , 2H092JA48 , 2H092JB56 , 2H092JB63 , 2H092JB64 , 2H092KA05 , 2H092KA18 , 2H092KA22 , 2H092KB04 , 2H092MA13 , 2H092MA17 , 2H092NA27 , 2H092PA08 , 5C094AA43 , 5C094AA44 , 5C094BA03 , 5C094BA43 , 5C094CA19 , 5C094DA13 , 5C094DB02 , 5C094DB04 , 5C094EA04 , 5C094FB19 , 5C094GB10 , 5F110AA16 , 5F110AA18 , 5F110AA21 , 5F110AA26 , 5F110BB02 , 5F110CC07 , 5F110EE02 , 5F110EE03 , 5F110EE04 , 5F110EE06 , 5F110EE14 , 5F110EE44 , 5F110FF02 , 5F110FF03 , 5F110FF28 , 5F110FF30 , 5F110GG02 , 5F110GG15 , 5F110GG43 , 5F110GG45 , 5F110HK02 , 5F110HK03 , 5F110HK04 , 5F110HK09 , 5F110HK16 , 5F110HK21 , 5F110NN73 , 5F110QQ01

引用特許：

出願人引用 (1件)

特許出願第2002-88323号

前のページに戻る