特許
J-GLOBAL ID：200903004202214623
パワー半導体モジュール
発明者：
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出願人/特許権者：
代理人 (1件)：
大場 充
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平8-326563
公開番号（公開出願番号）：特開平10-173109
出願日： 1996年12月06日
公開日（公表日）： 1998年06月26日
要約：
【要約】【課題】 高熱伝導性を確保することができるとともに、絶縁基板との熱膨張差の少ない信頼性の高い放熱板を備えた新しいパワー半導体モジュールを提供する。【解決手段】 本発明は複数の半導体チップおよび複数の電極を搭載した絶縁基板が放熱板上に搭載されており、これら放熱板上の構造物全体が封止された構造のIGBT等のパワー半導体モジュールにおいて、前記放熱板は、銅または銅合金の高熱伝導層と、Fe-Ni系合金の低熱膨張層が交互に積層され、10層以上、好ましくは50層以上の多層構造をなし、前記低熱膨張層をはさみ込む高熱伝導層は、低熱膨張層に形成した複数の貫通孔を介して連続するものである。
請求項（抜粋）：
複数の半導体チップおよび複数の電極を搭載した絶縁基板が放熱板上に搭載され、これら放熱板上の構造物が封止された構造の半導体モジュールにおいて、前記放熱板は、銅または銅合金の高熱伝導層と、Fe-Ni系合金の低熱膨張層が交互に積層され10層以上の多層構造をなし、前記低熱膨張層をはさみ込む高熱伝導層は、低熱膨張層に形成した複数の貫通孔を介して連続することを特徴とするパワー半導体モジュール。
IPC (2件)：
FI (2件)：
H01L 23/36 M
, H01L 23/36 A
