特許
J-GLOBAL ID：200903004203099330
窒化物半導体素子
発明者：
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出願人/特許権者：
代理人 (1件)：
日向寺 雅彦
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2006-202782
公開番号（公開出願番号）：特開2008-034411
出願日： 2006年07月26日
公開日（公表日）： 2008年02月14日
要約：
【課題】コストが低く、縦方向耐圧が高い窒化物半導体素子を提供する。【解決手段】窒化物半導体素子1において、支持基板としてSOI基板2を設け、このSOI基板2上にバッファー層としてAlN層3を形成し、その上にチャネル層としてGaN層4を形成し、その上にバリア層としてAlGaN層5を形成し、その上にソース電極6、ドレイン電極7及びゲート電極8を設ける。SOI基板2は、導電性Si基板21、SiO2層22及びSi層23により構成されており、その厚さ方向について絶縁性である。【選択図】図1
請求項１：
Siを含む基板と、
前記基板上に設けられ、窒化物半導体材料からなるチャネル層と、
前記チャネル層上に設けられ、窒化物半導体材料からなるバリア層と、
前記バリア層に接続された第1及び第2の主電極と、
前記バリア層上における前記第1の主電極と前記第2の主電極との間に設けられた制御電極と、
を備え、
前記基板における少なくとも一部の層の抵抗率は1kΩ/cm以上であることを特徴とする窒化物半導体素子。
IPC (3件)：
H01L 21/338
, H01L 29/778
, H01L 29/812
5F102FA08
, 5F102GB01
, 5F102GC01
, 5F102GD01
, 5F102GJ03
, 5F102GJ10
, 5F102GK04
, 5F102GK08
, 5F102GL04
, 5F102GM04
, 5F102GM08
, 5F102GQ01
, 5F102GR04
, 5F102GS01
, 5F102GT01
, 5F102GT03
, 5F102GV05
