特許

J-GLOBAL ID：200903004207313522

薄膜トランジスタ装置とその製造方法

発明者： アナンス ドダバラプア ,  ハワード エダン カッツ ,  ルイザ トーシ
出願人/特許権者： エイ・ティ・アンド・ティ・コーポレーション
代理人 (1件)： 三俣 弘文
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平7-345454
公開番号（公開出願番号）：特開平8-228035
出願日： 1995年12月11日
公開日（公表日）： 1996年09月03日
要約：

【要約】【課題】ソース/ドレイン電流の改善されたオン/オフ比特性を有する有機薄膜トランジスタを提供する。【解決手段】本発明の有機薄膜トランジスタは、改善した特性(例えば20 ゚Cでオン/オフ比105以上)を有し、そのトランジスタは、低い導電率(20 ゚Cで5×10-8S/cm以下で、好ましくは10-8又は10-9S/cm以下)の有機活性層16からなり、このような物質を作る方法が開示される。急激な熱アニールは有益な結果を有する。望ましい物質はα-ヘキサチエニレンである(α-6T)。改善されたトランジスタは、例えば活性液晶表示器及びメモリに用いることができる。

請求項（抜粋）：

(A)有機物質層(16)と、(B)前記有機物質層に接し、離間した形成された第1及び第2接点(12、13)と、(C)前記第1及び第2接点の手段に離間して形成された第3接点(14)とからなりこの第3接点に印加された電圧並びに前記有機物質層を通して、第1及び第2接点の間の電流を制御し、(D)前記有機物質が、末端の環上の4又は5の位置の炭素上の置換基の有無に関わらない、nが4から9までの整数である、α-nT又はこれらの誘導体からなる群から選択され、(E)20 ゚Cにおいて高々5×10-8S/cmの導電率を有することを特徴とする薄膜トランジスタ(20)からなる装置。

IPC (2件)：

H01L 51/00 ,  H01L 29/786

FI (2件)：

H01L 29/28 ,  H01L 29/78 618 B