特許

J-GLOBAL ID：200903004209118751

超高純度流体供給配管系及びその施工方法

発明者： 大見 忠広 ,  中村 雅一
出願人/特許権者： 大見 忠弘
代理人 (1件)： 福森 久夫
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平3-331351
公開番号（公開出願番号）：特開平6-109200
出願日： 1991年11月20日
公開日（公表日）： 1994年04月19日
要約：

【要約】【目的】 ガス供給配管系を通してガスが導入される高清浄半導体装置等をガス配管の溶接時に付着した金属等の汚染から防いだ超高純度ガス供給配管系及びその施工方法を提供することを目的とする。【構成】 本発明の超高純度ガス供給配管系は、溶接部を有するガス供給配管系部品で構成される超高純度ガス供給配管系であって、前記超高純度ガス供給配管系の施工前、施工中または施工後に、前記溶接部を有するガス供給配管系部品を超純水で洗浄したことを特徴とする。また、溶接部を有する超高純度ガス供給配管系の施工方法において、少なくとも被溶接部材内に不活性ガスまたはバックシールガスを流しながら前記被溶接部材を溶接し、溶接後に前記被溶接部材内に超純水を流し、溶接により前記被溶接部材内に付着した金属ヒュームを超純水により洗浄除去することを特徴とする。

請求項（抜粋）：

溶接部を有する超高純度ガス供給配管系の施工方法において、少なくとも被溶接部材内に不活性ガスまたはバックシールガスを流しながら前記被溶接部材を溶接し、溶接後に前記被溶接部材内に超純水を流し、溶接により前記被溶接部材内に付着した金属ヒュームを超純水により洗浄除去することを特徴とする超高純度ガス供給配管系の施工方法。

IPC (2件)：

F17D 1/04 ,  H01L 21/205

引用特許：

審査官引用 (2件)

• 特開昭62-270281
  
• 特開昭62-289370