特許

J-GLOBAL ID：200903004209396662

半導体素子の実装方法

発明者： 細川 徹
出願人/特許権者： 京セラ株式会社
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2000-018075
公開番号（公開出願番号）：特開2001-210672
出願日： 2000年01月25日
公開日（公表日）： 2001年08月03日
要約：

【要約】【課題】 超音波を用いてフリップチップ実装する際に、半導体素子が劈開方向に沿って割れてしまう。【解決手段】 端面が劈開面に対して略30〜60度の方向に切断された面から成り、下面に劈開面に対して略30〜60度の方向のパターンに形成された複数の突起電極2を有する半導体素子1を、上面に突起電極2に対応する複数の電極パッド4を有する配線基板3上に、突起電極2を電極パッド4にそれぞれ当接させて載置した後、半導体素子1上から端面に対して略平行または略垂直方向の振動を印加して突起電極2を電極パッド4に接合させる半導体素子1の実装方法である。実装時の大きな超音波エネルギーが半導体素子1の素子材料に与えるダメージを大幅に軽減することができ、半導体素子1の割れの発生を防止することができる。

請求項（抜粋）：

端面が劈開面に対して略30〜60度の方向に切断された面から成り、下面に前記劈開面に対して略30〜60度の方向のパターンに形成された複数の突起電極を有する半導体素子を、上面に前記突起電極に対応する複数の電極パッドを有する配線基板上に、前記突起電極を前記電極パッドにそれぞれ当接させて載置した後、前記半導体素子上から前記端面に対して略平行または略垂直方向の振動を印加して前記突起電極を前記電極パッドに接合させることを特徴とする半導体素子の実装方法。

Fターム (5件)：

5F044KK01 ,  5F044KK04 ,  5F044KK07 ,  5F044KK18 ,  5F044LL15