特許

J-GLOBAL ID：200903004210178180

半導体基板及びその製造方法

発明者： 岸本 晃弘 ,  徳田 潤
出願人/特許権者： 松下電工株式会社
代理人 (1件)： 佐藤 成示 (外1名)
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平6-061350
公開番号（公開出願番号）：特開平7-273028
出願日： 1994年03月30日
公開日（公表日）： 1995年10月20日
要約：

【要約】 (修正有)【目的】 シリコン単結晶基板上に転位が非常に少ない化合物半導体層を形成する。【構成】 シリコン単結晶基板4の表面側に成長させた化合物半導体層6に化合物半導体素子を形成する半導体基板3において、シリコン単結晶基板4の表面に局所的に非晶質領域5を形成し、その非晶質領域5以外の領域上の素子領域用化合物半導体層6aの領域に化合物半導体素子を形成する。【効果】 化合物半導体素子を形成する領域の転位を非常に少なくできる。また、半導体基板を反りを低減することができる。

請求項（抜粋）：

シリコン単結晶基板の表面側に成長させた化合物半導体層に化合物半導体素子を形成する半導体基板において、前記シリコン単結晶基板の表面に局所的に非晶質領域が形成されており、その非晶質領域以外の領域上の前記化合物半導体層の領域に前記化合物半導体素子を形成することを特徴とする半導体基板。

IPC (3件)：

H01L 21/20 ,  H01L 21/265 ,  H01L 21/268