特許
J-GLOBAL ID：200903004211611589
シリコンの精製方法および精製装置
発明者：
,
出願人/特許権者：
代理人 (1件)：
山本 恵一
公報種別：公表公報
出願番号（国際出願番号）：特願2000-525344
公開番号（公開出願番号）：特表2001-526171
出願日： 1998年12月17日
公開日（公表日）： 2001年12月18日
要約：
【要約】シリコン精製方法は下記の工程から構成される。低温のるつぼを固体シリコンで満たすこと、るつぼの内容物を融解すること、溶融シリコンの乱流攪拌を、誘導るつぼにより、るつぼの中心軸に沿って上昇させることによって液体をるつぼの底部から自由表面にまで動かすことによって行うこと、および誘導プラズマトーチによって生成されるプラズマを、プラズマの反応性ガスが適合している不純物の除去を可能にする期間にわたって溶融物の表面に向けること。
請求項（抜粋）：
低温の誘導るつぼ(1)を固体シリコンで満たすこと、 前記るつぼの内容物を融解すること、 溶融シリコン(b)の乱流攪拌を、前記誘導るつぼにより、前記るつぼの中心軸に沿って上昇させることにより液体を前記るつぼの底部から自由表面まで動かすことによって行うこと、および 誘導プラズマトーチ(2)によって生成されるプラズマ(f)を、前記プラズマの反応性ガス(gr)が適合している不純物の除去を可能にする期間にわたって溶融物の表面に向けること、から構成されることを特徴とするシリコンの精製方法。
IPC (2件)：
FI (2件)：
C01B 33/037
, H01L 31/04 H
4G072AA01
, 4G072AA02
, 4G072BB01
, 4G072GG03
, 4G072GG04
, 4G072HH01
, 4G072JJ01
, 4G072JJ03
, 4G072JJ11
, 4G072JJ14
, 4G072MM08
, 4G072MM38
, 4G072RR25
, 4G072UU02
, 5F051AA03
, 5F051CB04
, 5F051CB18
