特許
J-GLOBAL ID:200903004213997620

磁気センサ装置及びその製造方法

発明者:
出願人/特許権者:
代理人 (1件): 前田 弘 (外2名)
公報種別:公開公報
出願番号(国際出願番号):特願平6-317918
公開番号(公開出願番号):特開平8-181362
出願日: 1994年12月21日
公開日(公表日): 1996年07月12日
要約:
【要約】【目的】 感度が高くばらつきの少ない信頼性の高い磁気センサ装置を提供する。【構成】 フェライト基板11と、その上に形成したガラス12と、この上に形成したSiO2 13と、この上に形成したSi3 N4 14と、磁気の感受部分であるInSb15とを備えることにより、不純物拡散が止まり、かつ酸化しないことで、信頼性の高い磁気センサ装置となる。また、InSbの上に形成したSi3 N4 17と電極NiPtTiAl16とを備えることで、ボンディング材料のAlやAuとInSbの反応を抑え、コンタクト抵抗の増大を抑えられ、感度の良好な信頼性の高い磁気センサ装置が得られる。
請求項(抜粋):
フェライト基板の表面部に磁気感受部分が設けられた磁気センサ装置において、前記フェライト基板の表面部がガラスと、該ガラス上に配置されたSiO2 と、該SiO2 上に配置されたSi3 N4 との積層構造で構成されていることを特徴とする磁気センサ装置。

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