特許

J-GLOBAL ID：200903004216262558

磁気抵抗センサ

発明者： 渡辺 克朗 ,  鈴木 良夫 ,  濱川 佳弘
出願人/特許権者： 株式会社日立製作所
代理人 (1件)： 富田 和子
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平9-023840
公開番号（公開出願番号）：特開平10-222817
出願日： 1997年02月06日
公開日（公表日）： 1998年08月21日
要約：

【要約】【課題】大きな感度と対称性の良い再生波形が安定して得られる磁気抵抗センサを提供する。【解決手段】第1の磁気センサ膜21および第2の磁気センサ膜22は、それぞれ、記録媒体からの磁界に応じて磁化の回転する第1の強磁性層13、16と、磁化の固定された第2の強磁性層11、18と、その間に配置された非磁性層12、19とを有する積層膜である。このとき、第2の強磁性層11、18の磁化は、互いに逆向きに固定しておく。電極対37、39は、それぞれの磁気センサ膜21、22に配置する。磁気センサ膜21、22の電気抵抗変化を回路504、505により検知し、それらの差を回路505で求めることにより、磁気センサ膜21、22の異方性磁気抵抗効果を相殺することができ、巨大磁気抵抗効果による出力波形の対称性を向上させることができる。

請求項（抜粋）：

記録媒体からの磁界によって電気抵抗変化の生じる第1の磁気センサ膜および第2の磁気センサ膜と、前記第1の磁気センサ膜の電気抵抗変化を検出するための第1の電極対と、前記第2の磁気センサ膜の電気抵抗変化を検出するための第2の電極対と、前記第1の電極対から検出された電気抵抗変化と第2の電極対から検出された電気抵抗変化との差を求める電気回路とを有し、第1の磁気センサ膜および第2の磁気センサ膜は、それぞれ、記録媒体からの磁界に応じて磁化の回転する第1の強磁性層と、磁化の固定された第2の強磁性層と、前記第1の強磁性層と第2の強磁性層との間に配置された非磁性層とを有する積層膜であり、前記第1の磁気センサ膜の第2の強磁性層の磁化は、前記第2の磁気センサ膜の第2の強磁性層の磁化が固定されている方向とは異なる向きに固定されていることを特徴とする磁気抵抗センサ。