特許
J-GLOBAL ID:200903004223802681

ヨウ化物を用いたCVDによるニッケルまたはニッケル合金の付着

発明者:
出願人/特許権者:
代理人 (1件): 坂口 博 (外1名)
公報種別:公開公報
出願番号(国際出願番号):特願平9-161639
公開番号(公開出願番号):特開平10-068075
出願日: 1997年06月18日
公開日(公表日): 1998年03月10日
要約:
【要約】【課題】ヨウ化物を使用するCVD(化学蒸着)プロセスを用いて、加工しにくい金属表面にニッケル、またはニッケル合金を付着させる革新的なプロセスおよび装置を提供する。【解決手段】本発明により、ニッケルまたはニッケル合金を接合できる金属32表面上に、好ましくはヨウ化銅などのヨウ化塩であるヨウ化物材料23を用いて、ニッケルまたはNi/Cu、Ni/Coなどのニッケル合金42を付着させるCVD(化学蒸着)プロセスおよび装置が提供される。
請求項(抜粋):
セラミック基板に強固に結合された少なくとも1つの接合される金属上に、ニッケルまたはニッケル合金を付着させるプロセスであって、(a)前記接合される金属を含む前記セラミック基板を、少なくとも1つの個別のニッケルまたはニッケル合金、および少なくとも1つの個別のヨウ化物材料を内包するチャンバに設置するステップと、(b)前記チャンバおよびその内容物を非酸化雰囲気で、約700°Cから約1,000 ゚Cまでの温度範囲で、最長約200分の時間範囲の間加熱するステップと、(c)前記チャンバおよびその内容物を冷却し、前記接合される金属に前記ニッケルまたはニッケル合金の層を付着させるステップと、(d)前記接合される金属に付着された前記ニッケル、またはニッケル合金の層を含む、前記セラミック基板を前記チャンバから取り出すステップと、を含むプロセス。
IPC (3件):
C23C 16/08 ,  H01L 21/285 ,  H01L 21/285 301
FI (3件):
C23C 16/08 ,  H01L 21/285 C ,  H01L 21/285 301 Z
引用特許:
審査官引用 (3件)
  • 特許第4664942号
  • 特開平1-264990
  • 特許第5471033号

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