特許
J-GLOBAL ID:200903004230187607

ウェハ中の熱的ストレスを低減する保持方法及び保持装置

発明者:
出願人/特許権者:
公報種別:公開公報
出願番号(国際出願番号):特願2003-065350
公開番号(公開出願番号):特開2004-006706
出願日: 2003年03月11日
公開日(公表日): 2004年01月08日
要約:
【課題】リソグラフィ工程中に高いエネルギーで照射を受けても、ウエハの位置ずれを抑制できるウエハの保持方法および保持装置を提供する。【解決手段】ウェハを保持するチャック領域を複数の区分化された領域A、B、C、Dに分割し、未露光部はこの区分化された領域A、B、C、Dに固定し、露光された部分は一旦固定を解除する。これによってウェハ内に発生した熱的ストレスは解放される。ストレスが解放された後で、その露光された領域を再固定する。【選択図】図5
請求項(抜粋):
加工処理中に半導体ウェハを区分化されたチャック上に保持する方法であって、 半導体ウェハをエネルギービームにより露光するために、チャック上の区分化された領域で該ウェハを固定する固定工程、 熱的ストレスを解放するために、半導体ウェハ上の露光された領域を、該領域を固定している区分化された領域で固定解除する固定解除工程、 熱的ストレスが解放された後、ウェハ上の露光された領域を前記区分化された領域で固定する再固定工程 を有することを特徴とする保持方法。
IPC (3件):
H01L21/027 ,  H01L21/68 ,  H02N13/00
FI (5件):
H01L21/30 541L ,  H01L21/68 K ,  H01L21/68 R ,  H02N13/00 D ,  H01L21/30 503C
Fターム (10件):
5F031CA02 ,  5F031HA16 ,  5F031HA53 ,  5F031KA06 ,  5F031MA27 ,  5F031NA05 ,  5F031PA11 ,  5F046CC08 ,  5F046CC13 ,  5F056EA15

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