特許

J-GLOBAL ID：200903004230767395

成膜方法及び成膜装置

発明者： 川名 隆宏 ,  平塚 亮一 ,  小野寺 誠一
出願人/特許権者： ソニー株式会社
代理人 (1件)： 逢坂 宏
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平9-045623
公開番号（公開出願番号）：特開平10-237659
出願日： 1997年02月28日
公開日（公表日）： 1998年09月08日
要約：

【要約】【課題】 反応室の周辺部(例えば、反応管の周壁部分)に堆積物が析出するのを防止して、長時間にわたって成膜を実施することができる薄膜(例えばカーボン膜)の成膜方法、及びその実施に使用できる成膜装置を提供すること。【解決手段】 反応室3内で成膜物質を分解し(プラズマ化など)、この反応室の開口部14に対向して配置された基体(例えば磁気記録媒体10)上にカーボン膜などの薄膜を形成するに際し、開口部14に近接して設けられたガス導入口6から酸素ガス1を7A及び7Bとして導入することによって、反応室3の周壁端面への堆積物(例えばポリエチレン)の析出を防止しながら、基体(例えば磁気記録媒体)上に薄膜(例えばDLC膜)を形成する成膜方法。成膜物質を分解する反応室3と、この反応室3の開口部14に近接して設けられたガス導入口6とを有し、反応室3の周壁端面に対しガス導入口6から酸素ガス7A及び7Bが導入されるように構成された成膜装置。

請求項（抜粋）：

反応室内で成膜物質を分解し、この反応室の開口部に対向して配置された基体上に薄膜を形成するに際し、前記開口部に近接して設けられたガス導入口からガスを導入することによって、前記反応室の周壁への堆積物の析出を防止しながら、前記基体上に薄膜を形成する成膜方法。

IPC (3件)：

C23C 16/44 ,  C23C 16/50 ,  G11B 5/85

FI (3件)：

C23C 16/44 J ,  C23C 16/50 ,  G11B 5/85 Z