特許

J-GLOBAL ID：200903004230803014

導電膜の製造方法

発明者： 中谷 紀夫
出願人/特許権者： 三洋電機株式会社
代理人 (1件)： 西野 卓嗣
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平4-173116
公開番号（公開出願番号）：特開平6-021052
出願日： 1992年06月30日
公開日（公表日）： 1994年01月28日
要約：

【要約】【目的】 従来の導電膜の製造方法では、リフトオフ法を2度もちいるため、導電膜パターンの間隔を少なくとも4〜5μm必要としていたが、本発明はこの点を改善し、1回のリフトオフで導電膜パターンを形成し、導電膜パターンの間隔を減少させる導電膜の製造方法を実現することを目的とする。【構成】 基板1上に第1導電膜3を形成し、該第1導電膜3上に第1導電膜3に対してエッチング選択性のあるマスク膜4を堆積する堆積工程と、該マスク膜4を所定形状にエッチングする第1のエッチング工程と、該マスク膜4に対して第1導電膜3のサイドエッチ寸法を制御しつつ該第1導電膜3をオーバーエッチングする第2のエッチング工程と、第1導電膜3より薄膜の第2導電膜5を全面に堆積し、該マスク膜4をエッチング除去する第3のエッチング工程からなる導電膜の製造方法。

請求項（抜粋）：

基板上に第1導電膜を形成し、該第1導電膜上に第1導電膜に対してエッチング選択性のあるマスク材料を堆積する堆積工程と、該マスク材料を所定形状にエッチングする第1のエッチング工程と、該マスク材料に対して第1導電膜のサイドエッチ寸法を制御しつつ該第1導電膜をオーバーエッチングする第2のエッチング工程と、第1導電膜より薄膜の第2導電膜を全面に堆積し、該マスク材料をエッチング除去する第3のエッチング工程からなる導電膜の製造方法。

IPC (5件)：

H01L 21/3205 ,  G09F 9/35 302 ,  H01L 21/302 ,  H01L 21/336 ,  H01L 29/784

FI (2件)：

H01L 21/88 B ,  H01L 29/78 311 P

引用特許：

審査官引用 (4件)

• 特開平2-133971
  
• 特開昭53-104185
  
• 特開昭56-048151
  
• 特開昭63-204662