化合物半導体の製造方法

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出願人/特許権者：
代理人 (1件)：池内寛幸 (外1名)
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平5-286939
公開番号（公開出願番号）：特開平7-007169
出願日： 1993年11月16日
公開日（公表日）： 1995年01月10日
要約：

【要約】【目的】少なくとも水素分子を含む気体を原子価数が2価の元素とVI族元素を含む化合物半導体表面に照射して、前記化合物半導体表面上の汚染物質を低温で効果的に除去し、清浄化すること、及び清浄化した表面に前記化合物半導体薄膜を形成する。【構成】少なくとも水素分子を含むビーム8を作製するプラズマ発生室1とMBE装置を組み合わせた装置において、原子価数が2価の元素とVI族元素を含む化合物半導体表面にビーム8を照射することによって低温で清浄化することができ、さらに組み合わせたMBE装置としての機能により高品質な原子価数が2価の元素とVI族元素を含む化合物半導体薄膜を前記清浄な表面上に形成する。

請求項（抜粋）：

少なくとも水素分子を含む気体を、原子価数が2価の元素とVI族元素を含む化合物半導体表面に照射して、前記化合物半導体表面を清浄化するに際し、前記化合物半導体の成長温度以下の温度で処理することを特徴とする化合物半導体の製造方法。

IPC (12件)：

H01L 31/04 , C23C 16/44 , C30B 23/08 , C30B 25/02 , C30B 29/48 , C30B 33/02 , H01L 21/203 , H01L 21/3065 , H01L 21/304 341 , H01L 21/31 , H01L 21/363 , H01L 29/22

FI (4件)：

H01L 31/04 E , H01L 21/302 N , H01L 21/31 C , H01L 29/22

引用特許：

審査官引用 (3件)

特開昭47-042541
特開平4-003914
特開昭63-260035

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