特許

J-GLOBAL ID：200903004236013163

単結晶の加工方法

発明者： 小見 忠雄
出願人/特許権者： 株式会社東芝
代理人 (1件)： 須山 佐一
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平5-197126
公開番号（公開出願番号）：特開平7-047541
出願日： 1993年08月09日
公開日（公表日）： 1995年02月21日
要約：

【要約】【目的】 特殊な結晶方位を有する単結晶体の高精度な方位加工を実現した単結晶の加工方法を提供する。【構成】 単結晶体1の特定面とは異なる面3を加工する際に、加工面3の面方位Aと平行で、かつ加工面3からの傾きθが±10°以内の結晶面2を基準面とし、この基準面2を用いて単結晶体1の位置合わせを行った後、所定の加工面3を加工する。

請求項（抜粋）：

単結晶体の結晶方位加工方法において、結晶方位が特定面とは異なる面を加工する際に、加工面の面方位と平行で、かつ加工面からの傾きが±10°以内の結晶面を基準面とし、前記基準面を用いて前記単結晶体の位置合わせを行った後、前記加工面を加工することを特徴とする単結晶の加工方法。

IPC (3件)：

B28D 5/00 ,  C30B 33/00 ,  G01N 23/20

引用特許：

審査官引用 (2件)

• 特開昭63-228721
  
• 特開昭63-228721