気相成長方法および気相成長装置

発明者： , , ,
出願人/特許権者：
代理人 (1件)：荒船博司
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2000-026486
公開番号（公開出願番号）：特開2001-220288
出願日： 2000年02月03日
公開日（公表日）： 2001年08月14日
要約：

【要約】【課題】大面積の基板を多数同時に処理する場合にも均一な組成の薄膜を成長させることのできる気相成長方法および気相成長装置を提供する。【解決手段】反応炉1内に設けられる基板保持台4上に基板Sを設置し、該基板表面に所定の方向から原料ガスGを供給して薄膜を形成させる気相成長方法において、上記基板保持台を上記反応炉内の上方または下方の内壁2に密接させて設け、上記基板保持台と対向し、上記原料ガスに接触する内壁3の温度が上記原料ガスの分解温度以下になるように制御すると共に、原料ガスの流れの上流側に相当する位置における上記基板保持台の少なくとも一部の領域の表面温度が上記原料ガスの分解温度以上となるように制御するようにした。

請求項（抜粋）：

反応炉内に設けられる基板保持台上に基板を設置し、該基板表面に所定の方向から原料ガスを供給して薄膜を形成させる気相成長方法において、上記基板保持台を上記反応炉内の上方または下方の内壁に近接させて設け、上記基板保持台と対向し、上記原料ガスに接触する内壁の温度が上記原料ガスの分解温度以下になるように制御すると共に、上記原料ガスの流れの上流側に相当する位置における上記基板保持台の少なくとも一部の領域の表面温度が上記原料ガスの分解温度以上となるように制御することを特徴とする気相成長方法。

IPC (3件)：

C30B 25/10 , C23C 16/44 , H01L 21/205

FI (3件)：

C30B 25/10 , C23C 16/44 B , H01L 21/205

Fターム (50件)：

4G077AA03 , 4G077AB01 , 4G077BE41 , 4G077BE42 , 4G077BE44 , 4G077BE47 , 4G077DB08 , 4G077DB21 , 4G077ED04 , 4G077ED06 , 4G077EG04 , 4G077EG15 , 4G077EG22 , 4G077TA04 , 4G077TA12 , 4G077TB05 , 4K030AA11 , 4K030BA08 , 4K030BA11 , 4K030BA35 , 4K030BA51 , 4K030BA55 , 4K030BA56 , 4K030BB02 , 4K030CA04 , 4K030FA10 , 4K030LA15 , 5F045AA04 , 5F045AB12 , 5F045AB17 , 5F045AB18 , 5F045AC01 , 5F045AC08 , 5F045AD10 , 5F045AE23 , 5F045AF04 , 5F045AF11 , 5F045BB01 , 5F045BB12 , 5F045DP03 , 5F045DP05 , 5F045DP15 , 5F045DP27 , 5F045EC05 , 5F045EJ04 , 5F045EJ09 , 5F045EK24 , 5F045EK30 , 5F045EM02 , 5F045EM09

引用特許：

審査官引用 (2件)

特開平4-252022
特開平4-160094

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