特許

J-GLOBAL ID：200903004241223168

半導体発光素子

発明者： 藤井 宏明
出願人/特許権者： 日本電気株式会社
代理人 (1件)： 本庄 伸介
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平5-013419
公開番号（公開出願番号）：特開平6-232453
出願日： 1993年01月29日
公開日（公表日）： 1994年08月19日
要約：

【要約】【目的】 良好なオーミック特性を有する緑青色或いは青色発光素子を提供する。【構成】 CdZnSe、ZnSSe、ZnSeの内少なくとも1つを含む発光層1を有し、ZnSSe、ZnSe、ZnMgSSeの内少なくとも1つを含むP型とN型のクラッド層2,3で発光層1を挟んだダブルヘテロ構造の半導体発光素子である。そして、発光層1から見て基板7と反対側のクラッド層3上に(AlX Ga1-X )0.5 In0.5 P(0≦X≦1)キャップ層4とAlX Ga1-XAs(0≦X≦1)コンタクト層5とをこの順に積層している。

請求項（抜粋）：

CdZnSe、ZnSSe、ZnSeの内少なくとも1つを含む発光層を有し、その両側にZnSSe、ZnSe、ZnMgSSeの内少なくとも1つを含むP型とN型のクラッド層を有するダブルヘテロ構造の半導体発光素子において、前記発光層から見て基板と反対側のクラッド層上に(AlX Ga1-X )0.5 In0.5 P(0≦X≦1)層とAlX Ga1-X As(0≦X≦1)層とをこの順に積層した構造を含むことを特徴とする半導体発光素子。

IPC (2件)：

H01L 33/00 ,  H01S 3/18