特許

J-GLOBAL ID：200903004246057894

配線基板の製造方法

発明者： 明石 理 ,  坂元 達海
出願人/特許権者： 京セラ株式会社
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2002-327817
公開番号（公開出願番号）：特開2004-165325
出願日： 2002年11月12日
公開日（公表日）： 2004年06月10日
要約：

【課題】電子部品の電極を半田接合パッドに強固に接続することが可能な配線基板を提供すること。【解決手段】絶縁基板1の表面に無電解銅めっき層3aを被着させ、その上に開口部11aを有する第一のめっきレジスト層11を被着させ、開口部11a内に露出した無電解銅めっき層3aの上に電解銅めっき層3bを被着させ、第一のめっきレジスト層11を剥離した後、電解銅めっき層3bの中央部を露出させる第二の開口部12aを有する第二のめっきレジスト層12を被着させ、第二の開口部12a内に露出した電解めっき層3b上に電解ニッケルめっき層5を被着させ、次に第二のめっきレジスト層12を剥離した後、半田接合パッド3が形成される部位以外の無電解銅めっき層3aをエッチング除去して半田接合パッド3を形成し、半田接合パッド3の外周部を黒化処理し、耐半田樹脂層4を形成し、最後に無電解金めっき層を被着する。【選択図】 図2

請求項１：

内部および/または表面に配線導体を有し、上面に半田接合パッドが形成される絶縁基板を準備する工程と、該絶縁基板の上面に無電解銅めっき層を被着させる工程と、該無電解銅めっき層上に前記半田接合パッドが形成される部位の前記無電解銅めっき層を露出させる第一の開口部を有する第一のめっきレジスト層を被着させる工程と、前記第一の開口部内に露出した前記無電解銅めっき層の上に電解銅めっき層を被着させる工程と、前記第一のめっきレジスト層を剥離した後、前記無電解銅めっき層および電解銅めっき層上に前記半田接合パッドが形成される部位の前記電解銅めっき層の外周部を覆うとともに該電解銅めっき層の中央部を露出させる第二の開口部を有する第二のめっきレジスト層を被着させる工程と、前記第二の開口部内に露出した前記電解銅めっき層上に電解ニッケルめっき層を被着させる工程と、前記第二のめっきレジスト層を剥離した後、前記電解銅めっき層から露出する部位の前記無電解銅めっき層をエッチング除去し、前記絶縁基板上に無電解銅めっき層とその上の電解銅めっき層とから成り、その上面の中央部に電解ニッケルめっき層が被着された半田接合パッドを形成する工程と、前記半田接合パッドの前記電解ニッケルめっき層から露出する前記無電解銅めっき層および電解銅めっき層の表面を黒化処理する工程と、前記絶縁基板の上面に、前記半田接合パッドの外周部を覆うとともに該半田接合パッドの中央部を露出させる耐半田樹脂層を形成する工程と、該耐半田樹脂層から露出する前記半田接合パッド上の電解ニッケルめっき層上に無電解金めっき層を被着する工程とを順次行なうことを特徴とする配線基板の製造方法。

IPC (2件)：

H05K3/34 ,  H05K3/28

FI (2件)：

H05K3/34 501F ,  H05K3/28 B

Fターム (16件)：

5E314BB05 ,  5E314BB09 ,  5E314CC01 ,  5E314DD02 ,  5E314FF01 ,  5E314GG08 ,  5E314GG11 ,  5E319AA03 ,  5E319AB05 ,  5E319AC01 ,  5E319AC13 ,  5E319AC15 ,  5E319AC18 ,  5E319CC33 ,  5E319CD04 ,  5E319GG13