特許

J-GLOBAL ID：200903004248332183

半導体薄膜形成方法及び装置

発明者： 鹿島 秀夫 ,  物集 照夫 ,  細見 和彦 ,  大内 潔
出願人/特許権者： 株式会社日立製作所
代理人 (1件)： 小川 勝男
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平6-108122
公開番号（公開出願番号）：特開平7-321038
出願日： 1994年05月23日
公開日（公表日）： 1995年12月08日
要約：

【要約】【目的】 HBTなどの超格子デバイスに不可欠な,欠陥及び内部拡散の無い極めて高品質なヘテロ構造薄膜の成長手段を提供することにある。【構成】 複数の半導体薄膜から成るヘテロ構造薄膜の成長の際,その成長過程で所定の低下率で基板の温度を低減する工程を1回以上含む。【効果】 薄膜の形成,特に輻射吸収率の異なる複数の薄膜から成るヘテロ構造薄膜の成長中の薄膜表面温度が,常に一定または一定範囲内に保持されるため,表面温度の異常上昇に起因した表面欠陥,及び薄膜構成元素の内部拡散が生じること無く,超格子デバイスに最適な高品質なヘテロ構造薄膜を容易に実現できる。

請求項（抜粋）：

真空雰囲気中に,任意温度に保持された基板の表面に,元素周期律表のIV族若しくはIII-V族若しくはII-VI族元素またはそれらの組合せから成る所望の薄膜を,前記所望の薄膜の成分または成分を含むガスをセルを介して供給することによって形成する薄膜形成方法において,前記所望の薄膜の形成過程に,前記所望の薄膜の形成を開始した後,前記基板の温度を所定の低下率で低減する工程を少なくとも1回以上含むことを特徴とする薄膜形成方法。