特許
J-GLOBAL ID:200903004251394424
液晶表示素子及びその製造方法
発明者:
,
出願人/特許権者:
代理人 (1件):
森本 義弘
公報種別:公開公報
出願番号(国際出願番号):特願平8-043921
公開番号(公開出願番号):特開平9-236822
出願日: 1996年03月01日
公開日(公表日): 1997年09月09日
要約:
【要約】【課題】 黒色レジストを薄膜トランジスタ形成基板に形成して成る素子パネルにおいて、電圧保持率及び寿命信頼性の向上を図る。更に、斜め光の浸入等によるリーク電流の発生や、形状段差等による配向違いにもとづくムラの発生等の問題を解消して、均一表示、高輝度表示可能な液晶表示素子を提供する。【解決手段】 黒色レジスト材料が光と熱によって重合反応を起こし、光に対しては420nm 以下の波長光で反応する。黒色レジストの硬化後の比抵抗を1×1011Ωcm以上とする。樹脂材料中へイオン吸着性無機物を含有させる。薄膜トランジスタ形成基板に対して、光吸収層を設ける。パネル厚みに対し10倍以上の厚みの光吸収層と、使用環境温度において屈折率が1.3〜1.7の透明体とを設け、リーク電流の発生を防ぐ。形状記憶性を有する熱可塑性ポリマーを使用して配向ムラを解消する。
請求項(抜粋):
薄膜トランジスタを含む液晶を動作駆動させる回路電極が形成されたアレイ基板の電極形成面上に、黒色レジストを形成して成る表示素子パネルにおいて、黒色レジスト材料が、光と熱によって重合反応を起こし、光に対しては420nm以下の波長光で反応することを特徴とする液晶表示素子。
IPC (6件):
G02F 1/136 500
, G02B 5/00
, G02F 1/1335 500
, G03F 7/004 505
, G03F 7/004 511
, G03F 7/038
FI (6件):
G02F 1/136 500
, G02B 5/00 B
, G02F 1/1335 500
, G03F 7/004 505
, G03F 7/004 511
, G03F 7/038
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