特許

J-GLOBAL ID：200903004251744220

半導体製造装置及び半導体製造装置の洗浄方法

発明者： 石川 良光
出願人/特許権者： ソニー株式会社
代理人 (1件)： 田辺 恵基
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平8-037367
公開番号（公開出願番号）：特開平9-213617
出願日： 1996年01月30日
公開日（公表日）： 1997年08月15日
要約：

【要約】【課題】本発明は、作業工程数を増やすことなく基板に悪影響を与えずに、基板表面に残存している有機化合物を容易に除去する。【解決手段】本発明は、配線材料を用いて成膜加工した基板が処理室内に配置され、当該処理室内で上記基板表面の有機化合物をアミン系の有機系剥離剤により酸化反応させて炭酸ガス又は水蒸気として剥離除去された基板を純水で洗浄した後、基板表面に除去しきれずに残存している有機化合物と化学反応する反応ガスを基板に供給し、化学反応させて当該有機化合物を除去する。

請求項（抜粋）：

配線材料を用いて成膜加工した基板が配置され、当該基板表面の有機化合物をアミン系の有機系剥離剤により酸化反応させて炭酸ガス又は水蒸気として剥離除去する処理室と、上記アミン系の有機系剥離剤を上記処理室内に供給する薬液供給手段と、上記基板表面を洗浄する純水を上記処理室内に供給する純水供給手段と、上記基板表面の上記有機化合物と化学反応させて当該有機化合物を除去する反応ガスを上記処理室内に供給するガス供給手段と、上記薬液供給手段、上記純水供給手段及び上記ガス供給手段が上記処理室内に供給する流量及びタイミングを制御する制御手段とを具えることを特徴とする半導体製造装置。

IPC (5件)：

H01L 21/027 ,  G03F 7/42 ,  H01L 21/304 341 ,  H01L 21/304 ,  H01L 21/3205

FI (6件)：

H01L 21/30 572 B ,  G03F 7/42 ,  H01L 21/304 341 M ,  H01L 21/304 341 D ,  H01L 21/30 572 A ,  H01L 21/88 B