特許

J-GLOBAL ID：200903004252938363

炭素膜の製造方法

発明者： 中上 裕一 ,  黒川 英雄
出願人/特許権者： 松下電器産業株式会社
代理人 (1件)： 小鍜治 明 (外2名)
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平4-170346
公開番号（公開出願番号）：特開平6-010135
出願日： 1992年06月29日
公開日（公表日）： 1994年01月18日
要約：

【要約】【目的】 本発明は、潤滑性に優れた硬質炭素膜の製造方法を提供することを目的とする。【構成】 真空槽11内の中央に熱フィラメントを設置しその上部にメッシュ状電極2を設ける。この間に炭素源として、CH4、C6H6などの炭化水素を、Si源に(CH3)4Siなど炭素と珪素からなる有機化合物を導入し同時にイオン化する。基体側に負バイアスを印加し、イオンを加速し基体上に硬質のSi含有DLC膜を形成する。

請求項（抜粋）：

少なくとも炭素を含むガスと珪素を含む有機化合物をプラズマ化し、プラズマ中のイオンを引出して基板に加速衝突させる珪素含有炭素膜の製造方法。

IPC (3件)：

C23C 16/22 ,  C01B 33/02 ,  C23C 16/50

引用特許：

審査官引用 (3件)

• 特公昭64-004591
  
• 特開平3-240957
  
• 特公平3-072711