フォトレジスト選択性を向上し重合体密着性を改善するためのプラズマ反応処理法

発明者：
出願人/特許権者：
代理人 (1件)：長谷川芳樹 (外4名)
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平9-206132
公開番号（公開出願番号）：特開平10-150019
出願日： 1997年07月31日
公開日（公表日）： 1998年06月02日
要約：

【要約】【課題】フォトレジスト層のエッチング均一性および選択性を向上し、フォトレジストのファセッティングを軽減し、重合体の剥離を軽減し、露出バリア層表面のエッチングを低減するためのプラズマ・エッチング方法を提供すること。【解決手段】この課題は、特定の処理パラメータを変更することによって達成される。特に、反応チャンバ100の圧力および/またはエッチング・ガスのフッ素含有成分の流量を高くする。また、プラズマ用の電源装置の電力の低下、およびチャンバ天井温度の上昇も貢献する。著しいエッチング停止の発生を防止するためには、エッチング・ガスに希釈ガスを添加して重合体の形成を制限する。希釈ガスの添加はある点まではうまく機能するが、それを超えると、反応チャンバに流す希釈ガスの量に関係なく、上記工程パラメータの変更との複合作用としてエッチングは停止する。したがって、4つの工程パラメータに対して選択する値を調整することにより、エッチング停止の発生を最小限に抑制する。

請求項（抜粋）：

反応チャンバでワークピースをエッチングするためのプラズマ・エッチング方法であって、製造ワークピースを反応チャンバに導入する段階と、反応チャンバ内でプラズマを発生させる段階と、エッチング・ガスの第1フッ素含有成分を反応チャンバに流入させる段階であって、前記第1フッ素含有成分がハイドロフルオロカーボン・ガスから成る段階と、第1フッ素含有成分の流入を停止する段階と、エッチング・ガスの第2フッ素含有成分を反応チャンバに流入させる段階であって、前記第2フッ素含有成分がフルオロカーボン・ガスから成る段階と、を含むプラズマ・エッチング方法。

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