特許

J-GLOBAL ID：200903004256800749

単結晶の成長方法

発明者： 松本 和久 ,  藤原 伸介
出願人/特許権者： 住友電気工業株式会社
代理人 (1件)： 内田 明 (外2名)
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平6-199710
公開番号（公開出願番号）：特開平8-059390
出願日： 1994年08月24日
公開日（公表日）： 1996年03月05日
要約：

【要約】【目的】 垂直又は水平方向に配置した反応管の一端に種結晶を、他端に結晶原料を置き、結晶原料をガス状で種結晶上に輸送して単結晶を成長する方法において、成長界面と結晶原料の距離を変化させずに、安定した結晶成長で高品質の単結晶を成長する方法を提供しようとするものである。【構成】 反応管の形状を円筒形とし、該反応管の内径と同径の種結晶と結晶原料を使用し、結晶成長時に結晶成長速度と同じ速度で、反応管と加熱炉中の温度分布との相対位置を移動することを特徴とする単結晶の成長方法である。

請求項（抜粋）：

垂直又は水平方向に配置した反応管の一端に種結晶を、他端に結晶原料を置き、結晶原料をガス状で種結晶上に輸送して単結晶を成長する方法において、反応管の形状を円筒形とし、該反応管の内径と同径の種結晶と結晶原料を使用し、結晶成長時に結晶成長速度と同じ速度で、反応管と加熱炉中の温度分布との相対位置を移動することを特徴とする単結晶の成長方法。

IPC (4件)：

C30B 23/06 ,  C30B 29/48 ,  H01L 21/20 ,  H01L 21/203