特許
J-GLOBAL ID:200903004260402596

テラヘルツ光発生装置

発明者:
出願人/特許権者:
代理人 (1件): 四宮 通
公報種別:公開公報
出願番号(国際出願番号):特願2002-175036
公開番号(公開出願番号):特開2004-022766
出願日: 2002年06月14日
公開日(公表日): 2004年01月22日
要約:
【課題】より長い使用時間に渡って、高強度のテラヘルツ光を発生させる。【解決手段】テラヘルツ光発生素子11は、光伝導部としての基板14と、基板14の所定の面上に形成され互いに分離された2つの導電膜15,16とを有する。2つの導電膜15,16の少なくとも一部同士が、前記所定の面に沿った方向に所定間隔g’をあけるように配置される。照射部12は、テラヘルツ光発生素子11の所定の領域R’に超短パルスレーザ光を照射する。電圧印加部13は、2つの導電部15,16間にバイアス電圧を印加する。送風機17は、風を当てることにより、基板14を直接的又は間接的に冷却する。【選択図】 図1
請求項(抜粋):
光伝導部と、該光伝導部の所定の面上に形成され互いに分離された2つの導電部とを有し、前記2つの導電部の少なくとも一部同士が前記所定の面に沿った方向に所定間隔をあけるように配置されたテラヘルツ光発生素子と、 前記テラヘルツ光発生素子の所定箇所に励起パルス光を照射する照射部と、 前記2つの導電部間にバイアス電圧を印加する電圧印加部と、 前記光伝導部を直接的又は間接的に冷却する冷却手段と、 を備えたことを特徴とするテラヘルツ光発生装置。
IPC (1件):
H01S1/02
FI (1件):
H01S1/02

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