特許

J-GLOBAL ID：200903004261264480

金属スタッド付半導体放熱基板の製造方法

発明者： 河本 健一郎 ,  福井 彰
出願人/特許権者： 住友電気工業株式会社
代理人 (1件)： 中村 勝成 (外1名)
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平5-100433
公開番号（公開出願番号）：特開平6-291227
出願日： 1993年04月02日
公開日（公表日）： 1994年10月18日
要約：

【要約】【目的】 半導体放熱基板に金属スタッドを接合するに際して、半導体放熱基板に接合時の圧痕や加熱による変質ないし反りが殆ど発生せず、接合部が高い耐熱性と優れた強度を有し、低コストで信頼性の高い金属スタッド付半導体放熱基板の製造方法を提供する。【構成】 W又はMo、CuとW又はMoの複合合金、Wを含む焼結合金、W又はMoの芯材とCu又はAlの表面材とのクラッド合金、若しくはAl-Si複合合金からなる半導体放熱基板1に、当該基板1への接合面5が1°〜45°の角度でほぼ円錐状に突き出たテーパー面で且つ当該テーパー面の先端部に小突起6を有する放熱フィン取付用の金属スタッド2を、パーカッションスタッド溶接により接合する金属スタッド付半導体放熱基板の製造方法。

請求項（抜粋）：

W又はMo、CuとW又はMoの複合合金、Wを含む焼結合金、W又はMoの芯材とCu又はAlの表面材とのクラッド合金、若しくはAl-Si複合合金からなる半導体放熱基板に、当該基板への接合面が1°〜45°の角度でほぼ円錐状に突き出たテーパー面で且つ当該テーパー面の先端部に小突起を有する放熱フィン取付用の金属スタッドを、パーカッションスタッド溶接により接合することを特徴とする金属スタッド付半導体放熱基板の製造方法。

IPC (2件)：

H01L 23/373 ,  H01L 23/40