特許

J-GLOBAL ID：200903004263225946

半導体装置

発明者： 浜本 両太
出願人/特許権者： 株式会社日立製作所
代理人 (1件)： 徳若 光政
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平5-056435
公開番号（公開出願番号）：特開平6-243685
出願日： 1993年02月22日
公開日（公表日）： 1994年09月02日
要約：

【要約】 (修正有)【目的】 比較的簡単な回路構成出力バッファが動作状態とされることにともなう動作電流の変化を抑制する。この結果、複数の出力バッファを備えるダイナミック型RAM等の電源ノイズを抑制する。【構成】 単位出力バッファUOB0の一対の出力MOSFETN4及びN5を選択的にオン状態とするための駆動径路に、例えばデプレッション型のNFETN7及びP5からなる制御MOSFETをそれぞれ追加し、MOSFETのゲートをデータ入出力端子D0に結合する。D0における出力信号の電位変化に従って制御TN7及びP5のゲート電位を変化させ、出力TN4及びN5がオン状態とされる当初はTN7及びP5のコンダクタンスを小さくし、これらのFETのコンダクタンスを充分に大きくする。

請求項（抜粋）：

そのドレイン又はソースが所定の出力ノードに結合される出力MOSFETと、実質的に上記出力MOSFETの駆動径路に設けられそのゲート電位が上記出力ノードの電位に従って選択的に変化される制御MOSFETとを具備することを特徴とする半導体装置。

IPC (5件)：

G11C 11/409 ,  G11C 11/417 ,  H03K 17/16 ,  H03K 17/687 ,  H03K 19/0175

FI (4件)：

G11C 11/34 354 A ,  G11C 11/34 305 ,  H03K 17/687 F ,  H03K 19/00 101 F