特許
J-GLOBAL ID：200903004270012354

半導体装置およびその製造方法

発明者：
美馬 宏行

美馬 宏行 について

, 
舟橋 倫正

舟橋 倫正 について

, 
山本 裕彦

山本 裕彦 について


出願人/特許権者：
トレセンティテクノロジーズ株式会社

トレセンティテクノロジーズ株式会社 について


代理人 (1件)： 筒井 大和
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2002-380317
公開番号（公開出願番号）：特開2004-214327
出願日： 2002年12月27日
公開日（公表日）： 2004年07月29日
要約：
【課題】シリコン多結晶膜の表面に残るウォータマークを防いで、ウォータマーク起因の製造歩留まりの低下を抑える。【解決手段】1020cm-3以上の相対的に高濃度の不純物が導入されたd-シリコン多結晶膜5aの上層に2×1020cm-3以下の相対的に低濃度の不純物が導入されたi-シリコン多結晶膜5bを連続して成膜することにより、次工程のウェット洗浄処理において、不純物濃度が相対的に低いi-シリコン多結晶膜5bの表面がウェット洗浄されるので、ウォータマークの発生を抑えることができる。これにより、d-およびi-シリコン多結晶膜5a,5bをエッチングした後のd-およびi-シリコン多結晶膜5a,5bの外観異常、エッチ残りなどの加工不良を防いで、製造歩留まりの低下を抑える。【選択図】 図1
請求項１：
1020cm-3以上に不純物が導入された第1のシリコン多結晶膜および2×1020cm-3以下で前記第1のシリコン多結晶膜より低濃度の不純物が導入された第2のシリコン多結晶膜を基板上に下層から順に連続成膜した積層膜によって電界効果トランジスタのゲート電極を構成することを特徴とする半導体装置。
IPC (11件)：
H01L29/78 ,  H01L21/28 ,  H01L21/8234 ,  H01L21/8247 ,  H01L27/088 ,  H01L27/10 ,  H01L27/115 ,  H01L29/423 ,  H01L29/49 ,  H01L29/788 ,  H01L29/792
FI (7件)：
H01L29/78 301G ,  H01L21/28 301D ,  H01L27/10 481 ,  H01L29/78 371 ,  H01L27/10 434 ,  H01L27/08 102C ,  H01L29/58 G
Fターム (96件)：
4M104AA01 ,  4M104BB01 ,  4M104BB18 ,  4M104BB30 ,  4M104BB40 ,  4M104CC01 ,  4M104CC05 ,  4M104DD04 ,  4M104DD08 ,  4M104DD16 ,  4M104DD17 ,  4M104DD23 ,  4M104DD37 ,  4M104DD43 ,  4M104DD55 ,  4M104DD65 ,  4M104DD84 ,  4M104FF13 ,  4M104FF14 ,  4M104FF18 ,  4M104FF22 ,  4M104GG16 ,  4M104HH15 ,  4M104HH20 ,  5F048AB01 ,  5F048AC01 ,  5F048BB05 ,  5F048BB06 ,  5F048BB08 ,  5F048BB13 ,  5F048BF16 ,  5F048BG01 ,  5F048BG13 ,  5F048DA24 ,  5F048DA25 ,  5F083EP02 ,  5F083EP04 ,  5F083EP06 ,  5F083EP23 ,  5F083EP55 ,  5F083EP56 ,  5F083JA04 ,  5F083JA33 ,  5F083JA35 ,  5F083JA39 ,  5F083JA53 ,  5F083MA06 ,  5F083MA19 ,  5F083NA01 ,  5F083PR40 ,  5F083PR43 ,  5F083PR44 ,  5F083PR46 ,  5F083PR53 ,  5F083PR54 ,  5F083PR56 ,  5F101BA29 ,  5F101BA36 ,  5F101BB05 ,  5F101BD36 ,  5F101BH21 ,  5F140AA00 ,  5F140AC32 ,  5F140BA01 ,  5F140BC06 ,  5F140BE07 ,  5F140BF04 ,  5F140BF18 ,  5F140BF20 ,  5F140BF21 ,  5F140BF27 ,  5F140BF30 ,  5F140BF37 ,  5F140BF60 ,  5F140BG12 ,  5F140BG28 ,  5F140BG37 ,  5F140BG46 ,  5F140BG52 ,  5F140BG53 ,  5F140BJ10 ,  5F140BJ11 ,  5F140BJ15 ,  5F140BJ27 ,  5F140BK13 ,  5F140BK20 ,  5F140BK26 ,  5F140BK30 ,  5F140CA03 ,  5F140CB01 ,  5F140CB08 ,  5F140CC03 ,  5F140CE06 ,  5F140CE07 ,  5F140CE08 ,  5F140CF05
引用特許：
審査官引用 (7件)
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