特許

J-GLOBAL ID：200903004271988940

シリコンの選択的エッチングのための方法および組成物

発明者： ラリー・ウィルバー・オースティン ,  ハロルド・ジョージ・リンデ ,  ジェームズ・スピロス・ナコス
出願人/特許権者： インターナショナル・ビジネス・マシーンズ・コーポレイション
代理人 (1件)： 合田 潔 (外3名)
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平5-224783
公開番号（公開出願番号）：特開平6-188236
出願日： 1993年09月09日
公開日（公表日）： 1994年07月08日
要約：

【要約】【目的】 本発明の目的は、シリコンの表面の一部は溶解するが、表面のp型にドーピングしたパターンは実質上溶解せずに残るように、p型にドーピングしたシリコンの存在下で、シリコンを選択的にエッチングするための方法および組成物を提供することにある。【構成】 本発明の組成物は、(a)アルカリ金属の水酸化物、またはテトラアルキルアンモニウムの水酸化物の水溶液と、(b)引火点の高いアルコール、フェノール、重合アルコール、または重合フェノールとを含む。そして、この組成物に基板をさらすことによって、シリコンを選択的にエッチングする。

請求項（抜粋）：

シリコン基板の制御されたエッチングを行う方法であって、(a)アルカリ金属の水酸化物とトリアルキルアンモニウムの水酸化物からなる群から選択した塩基の水溶液と、(b)下記の式を有するアルコールと、【化1】上式で、Arはアリールまたは置換アリール基、R'は水素または直鎖低級アルキル基、nは0または1ないし4の整数、mは0または1である、の混合物に上記基板をさらすステップを含むことを特徴とする方法。

IPC (2件)：

H01L 21/308 ,  C09K 13/06

引用特許：

審査官引用 (1件)

• 特開昭53-121459