特許
J-GLOBAL ID：200903004273646516
半導体素子CMP用金属酸化物スラリーの製造方法
発明者：
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出願人/特許権者：
代理人 (1件)：
筒井 大和 (外2名)
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2000-187138
公開番号（公開出願番号）：特開2001-070825
出願日： 2000年06月22日
公開日（公表日）： 2001年03月21日
要約：
【要約】 (修正有)【課題】 粒子の分布が狭くて均一であり、研磨表面にμ-スクラッチを起こす1μm以上の巨大粒子を殆ど含まない高純度の金属酸化物スラリーを収得し得る半導体素子CMP用金属酸化物スラリーの製造方法を提供する。【解決手段】 流体を高圧で加速させてオリフィスで分散させることにおいて、高圧ポンプ2,2′を2台使用して分散チャンバー3内の圧力を一定に維持させることにより、μ-スクラッチ発生の主原因となる巨大粒子(粒径1μm以上)の発生を抑制又は最小化する。金属酸化物はSiO2,CeO2,Al2O3,ZrO2からなる郡から選択される1種以上であり、表面積が20〜300m2/gである。
請求項（抜粋）：
金属酸化物と水をプレミキシングした後、水溶液状の金属酸化物を分散チャンバー内のオリフィスで高圧で加速させて分散させる方法において、高圧ポンプを2台使用して、分散チャンバーにかかる圧力を一定に維持させることを特徴とする半導体素子CMP用金属酸化物スラリーの製造方法。
IPC (6件)：
B02C 19/06
, B01F 3/12
, B24B 37/00
, C09K 3/14 550
, C09K 13/00
, H01L 21/304 622
B02C 19/06 A
, B01F 3/12
, B24B 37/00 H
, C09K 3/14 550 D
, C09K 13/00
, H01L 21/304 622 D
