ヘテロ接合バイポーラトランジスタを用いたRFパワーモジュール

発明者： , , , ,
出願人/特許権者：
代理人 (1件)：玉村静世
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2006-040080
公開番号（公開出願番号）：特開2007-221490
出願日： 2006年02月17日
公開日（公表日）： 2007年08月30日
要約：

【課題】HBTのエミッタ接地電流増幅率hFEの経時変化、温度依存性、バラツキ等に依存するRFパワーモジュールの電気的特性を補償すること。【解決手段】化合物半導体集積回路GaAs ICでHBTのhFEに依存する基準用HBTQrefの基準電流をシリコン半導体集積回路Si ICのバイアス回路Bias Genの第1カレントミラーCM1の入力に供給する。Si ICのCM1の出力からのHBTのhFE減少に応答して増加する出力バイアス電流Ibiasによって、GaAs ICの出力用HBTQTOのベースをバイアスする。【選択図】図1

請求項（抜粋）：

化合物半導体集積回路と、シリコン半導体集積回路とを含み、前記化合物半導体集積回路は、RF送信出力信号を出力するパワー増幅トランジスタとしての出力用ヘテロ接合バイポーラトランジスタと、前記出力用ヘテロ接合バイポーラトランジスタと同一製造プロセスにより形成された基準用ヘテロ接合バイポーラトランジスタとを化合物半導体チップ上に含み、前記出力用ヘテロ接合バイポーラトランジスタはエミッタ接地で動作し、前記基準用ヘテロ接合バイポーラトランジスタはエミッタで動作して、前記基準用ヘテロ接合バイポーラトランジスタにはそのエミッタ接地電流増幅率の値に依存する基準電流が流れるものであり、前記シリコン半導体集積回路は、前記出力用ヘテロ接合バイポーラトランジスタのためのバイアス回路を前記シリコン半導体基板上に含み、前記バイアス回路は、前記基準用ヘテロ接合バイポーラトランジスタの前記基準電流が入力電流として入力されることによって前記エミッタ接地電流増幅率の減少に応答して増加する出力バイアス電流を生成する第1カレントミラーを含み、前記化合物半導体集積回路の前記基準用ヘテロ接合バイポーラトランジスタの前記基準電流が流れる外部基準出力端子と前記シリコン半導体集積回路の前記バイアス回路の前記第1カレントミラーの入力端子とが電気的に接続され、前記シリコン半導体集積回路の前記バイアス回路の前記第1カレントミラーの出力端子と前記出力用ヘテロ接合バイポーラトランジスタのベースに接続された前記化合物半導体集積回路の外部端子とが電気的に接続されたRFパワーモジュール。

IPC (7件)：

H03F 3/195 , H01L 21/822 , H01L 27/082 , H01L 21/824 , H01L 27/06 , H03F 1/30 , H03F 3/24

FI (6件)：

H03F3/195 , H01L27/08 101C , H01L27/06 101U , H03F1/30 A , H03F1/30 Z , H03F3/24

Fターム (28件)：

5F082AA13 , 5F082BA35 , 5F082BC04 , 5F082BC09 , 5F082FA03 , 5F082FA20 , 5F082GA04 , 5J500AA01 , 5J500AA41 , 5J500AC02 , 5J500AC15 , 5J500AF10 , 5J500AH06 , 5J500AH10 , 5J500AH25 , 5J500AH29 , 5J500AH33 , 5J500AK05 , 5J500AK09 , 5J500AK29 , 5J500AK68 , 5J500AM08 , 5J500AM21 , 5J500AS13 , 5J500AT02 , 5J500CK06 , 5J500NF01 , 5J500WU08

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