特許
J-GLOBAL ID:200903004275104583
電子回路基板の製造方法
発明者:
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出願人/特許権者:
代理人 (1件):
秋本 正実
公報種別:公開公報
出願番号(国際出願番号):特願平6-298345
公開番号(公開出願番号):特開平8-162759
出願日: 1994年12月01日
公開日(公表日): 1996年06月21日
要約:
【要約】【目的】 薄膜応力等を起因とする基板割れの抑止、基板表面に存在する隙間を起因とする薄膜配線の断切れや異物混入の防止等を可能にするとともに、基板製造時間を短縮することができる電子回路基板の製造方法の提供。【構成】 (i)基板表面を平坦化し、該平坦化された基板面に高分子材からなる薄膜絶縁層を形成し、(ii)該形成された薄膜絶縁層を遊動研磨剤および研磨布を使用して研磨し、該研磨により薄膜絶縁層の表面を平滑化するとともに、該薄膜絶縁層のうち基板の各開孔に充填された金属体上面部のみより薄膜絶縁層を除去した薄膜スルーホールを有する第1層薄膜絶縁層を形成し、(iii)該第1層薄膜絶縁層上に薄膜配線層および薄膜絶縁層を順に積層する。
請求項(抜粋):
絶縁体に形成された複数の開孔に金属体を充填してなる基板上に、薄膜配線層を順に積層する電子回路基板の製造方法において、(i)前記基板表面を平坦化し、該平坦化された基板面に高分子材からなる薄膜絶縁層を形成し、(ii)該形成された薄膜絶縁層を遊動研磨剤および研磨布を使用して研磨し、該研磨により薄膜絶縁層の表面を平滑化するとともに、該薄膜絶縁層のうち前記各開孔に充填された金属体上面部のみより薄膜絶縁層を除去した薄膜スルーホールを有する第1層薄膜絶縁層を形成し、(iii)該第1層薄膜絶縁層上に薄膜配線層および薄膜絶縁層を順に積層することを特徴とする電子回路基板の製造方法。
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