半導体装置及び半導体装置の製造方法

発明者：
出願人/特許権者：
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平8-021495
公開番号（公開出願番号）：特開平9-213941
出願日： 1996年02月07日
公開日（公表日）： 1997年08月15日
要約：

【要約】【課題】ゲート長を効果的に縮小できた半導体装置を提供し、このようにゲート長を効果的に縮小できとともに、工程が容易であり、信頼性に対する懸念も生じない、半導体装置の製造方法を提供する。【解決手段】 ?@半導体基板1上にゲート電極2を有し、ゲート電極の側方における半導体基板上に、ゲート電極と絶縁された低抵抗層8が形成されている半導体装置。?A半導体基板1上にゲート電極2を有する半導体装置の製造の際、ゲート電極の両側に低抵抗かつイオンが拡散しやすい材料からなる層8aを設け、該低抵抗かつイオンが拡散しやすい材料からなる層8aのゲート電極に近い部分をマスク(たとえば、サイドウォール7でマスク)して該マスクの外側にイオン注入を行って拡散層42を形成する。

請求項（抜粋）：

半導体基板上にゲート電極を有する半導体装置において、ゲート電極の側方における半導体基板上に、ゲート電極と絶縁された低抵抗層を具備してなることを特徴とする半導体装置。

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