同期型半導体記憶装置

発明者：
出願人/特許権者：
代理人 (1件)：深見久郎 (外3名)
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平9-213154
公開番号（公開出願番号）：特開平11-066846
出願日： 1997年08月07日
公開日（公表日）： 1999年03月09日
要約：

【要約】【課題】データにマスクをかけるときの消費電流を低減する。【解決手段】読出制御回路(21)および書込制御回路(25)は、内部マスク指示信号(DQMINおよびDQMOおよびDQMOUT)の活性化時、コラムデコーダ(2)を非活性状態に維持する。読出制御回路(21)はこのマスク指示信号の活性化時プリアンプ(3)を併わせて非活性状態とし、書込制御回路(25)は、ライトドライバ(4)をマスク指示信号の活性化時非活性状態に維持する。マスクデータに対する内部回路動作が停止され、消費電流が低減される。

請求項（抜粋）：

クロック信号に同期してデータを読出す同期型半導体記憶装置であって、行列状に配列される複数のメモリセルを有するメモリアレイ、データ読出モード時、前記クロック信号に同期してデータを外部へ出力するための出力バッファ、前記読出モード時前記メモリアレイからメモリセルを選択し、該選択されたメモリセルのデータを読出して前記出力バッファへ伝達する内部読出手段、および連続的に前記クロック信号に同期して読出されるデータのうちマスクすべきデータを指示するマスク指示信号に応答して、前記マスク指示信号が指定するデータに対する前記内部読出手段の動作を停止させる内部マスク制御手段を備える、同期型半導体記憶装置。

IPC (2件)：

G11C 11/407 , G11C 11/413

FI (2件)：

G11C 11/34 362 S , G11C 11/34 J

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