特許

J-GLOBAL ID：200903004287861282

薄膜形成装置

発明者： 梶田 直幸
出願人/特許権者： 三菱電機株式会社
代理人 (1件)： 曾我 道照 (外6名)
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平4-121915
公開番号（公開出願番号）：特開平5-311407
出願日： 1992年05月14日
公開日（公表日）： 1993年11月22日
要約：

【要約】【目的】 高速度で、しかも、少量の反応性ガスで高品位の化合物薄膜を形成することができる薄膜形成装置を提供する。【構成】 るつぼ3内に反応性ガスを直接導入するための反応性ガス導入ノズル25を設ける。

請求項（抜粋）：

所定の真空度に保持された真空槽と、この真空槽内に、この真空槽内において蒸着物質のクラスターとなる蒸着物質の蒸気を噴出させるるつぼを備えた蒸気発生源と、前記蒸着物質のクラスターの一部をイオン化させるイオン化手段と、このイオン化手段によってイオン化された蒸着物質のクラスターに運動エネルギーを付与するとともに、このイオン化された蒸着物質のクラスターをイオン化されていない蒸着物質のクラスターおよび蒸気とともに前記真空槽内に配置された基板に衝突させる加速手段とを備えた薄膜形成装置において、前記るつぼに、このるつぼ内に反応性ガスを導入する反応性ガス導入ノズルを設けたことを特徴とする薄膜形成装置。