誘電体キャパシタ及びその製造方法

発明者： ,
出願人/特許権者：
代理人 (1件)：川口義雄 (外1名)
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平6-226824
公開番号（公開出願番号）：特開平8-097380
出願日： 1994年09月21日
公開日（公表日）： 1996年04月12日
要約：

【要約】【目的】下部電極形成後、高温での誘電体薄膜の形成や、後熱処理の工程を経過しても、下部電極表面の平坦性が変化せず、コストアップとならない誘電体キャパシタ及びその製造方法を提供する。【構成】誘電体キャパシタは、表面に絶縁層2を有するシリコン基板1と、絶縁層2の上部に形成されたチタンを含む接着層3と、該接着層3上に形成されたチタンと白金を少なくとも含む合金から成る中間層4と、該中間層4上に形成された白金を含む下部電極5と、該下部電極5上に形成された誘電体層6と、該誘電体層6上に配置された上部電極7とから構成されている。中間層4には、接着層3と接する側ではチタンが高濃度に含まれ、かつ下部電極5と接する側ではチタンが低濃度に含まれ、中間部分におけるチタンの濃度は接着層3からの距離に対して単調に減少するように形成されている。

請求項（抜粋）：

表面に絶縁層を有する基板と、該絶縁層の上部に形成された第1の金属元素を含む接着層と、該接着層上に形成された第1の金属元素と第2の金属元素とを少なくとも含む合金から成る中間層と、該中間層上に形成された第2の金属元素を含む下部電極と、該下部電極上に形成された誘電体層と、該誘電体層上に配置された上部電極とを具備する誘電体キャパシタ。

IPC (4件)：

H01L 27/108 , H01L 21/8242 , H01L 27/04 , H01L 21/822

FI (2件)：

H01L 27/10 651 , H01L 27/04 C

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