特許
J-GLOBAL ID：200903004291297022
プラズマ処理装置
発明者：
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出願人/特許権者：
代理人 (1件)：
飯阪 泰雄
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平6-052732
公開番号（公開出願番号）：特開平7-235524
出願日： 1994年02月24日
公開日（公表日）： 1995年09月05日
要約：
【要約】[目的] 単位時間当りの基板処理能力の大きいプラズマ処理装置を提供すること。[構成] プラズマ・アッシング装置1の真空処理室10内にアッシングされるべき基板17を載置する基板電極46と、その上方の平行する位置に、基板電極46と電気的に接続された対向電極47を設けて、基板電極46にはRF電源43を接続する。プラズマ・アッシング処理中は、基板電極46と対向電極47とにRF電力を印加する。
請求項（抜粋）：
少なくとも、プラズマ処理されるべき基板を収容するための真空処理室と、一端はプラズマ生成用のガスの供給口とされ、他端は前記真空処理室へ挿入された放電管とからなるプラズマ処理装置において、前記真空処理室内に基板電極と、該基板電極に平行して対向電極を設けて、これら両電極にRF(高周波)電源を接続し、プラズマ処理に際しては、前記基板を前記基板電極上、または該基板電極と前記対向電極との間に保持して、前記基板電極と前記対向電極とにRF(高周波)電力を印加することを特徴とするプラズマ処理装置。
IPC (5件)：
H01L 21/3065
, C23F 4/00
, H01L 21/304 341
, H01L 21/31
, H05H 1/46
H01L 21/302 C
, H01L 21/302 H
, H01L 21/31 C
