特許
J-GLOBAL ID：200903004294458124
厚膜混成集積回路およびその製造方法
発明者：
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出願人/特許権者：
代理人 (1件)：
桑井 清一 (外1名)
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平4-191612
公開番号（公開出願番号）：特開平6-013734
出願日： 1992年06月25日
公開日（公表日）： 1994年01月21日
要約：
【要約】【目的】 半導体装置および金細線と導体パターンとの電気的接合強度をそれぞれ向上させることができる厚膜混成集積回路およびその製造方法を提供する。【構成】 セラミックス基板12の表面にAg-Pt系ペーストでパターン形成された導体パターン13を設ける。この導体パターン13の表面部にのみ金-銀系合金層16を設けたものにICチップ15をダイボンディングする。ICチップ15は金細線14を介してワイヤーボンディングされている。
請求項（抜粋）：
セラミックス基板と、このセラミックス基板の表面に銀系ペーストでパターン形成された導体パターンと、この導体パターンにダイボンディングされ、かつ、金細線を介してワイヤーボンディングされた半導体装置と、を備えた厚膜混成集積回路において、上記導体パターンの表面部に金-銀系合金層を設けたことを特徴とする厚膜混成集積回路。
IPC (3件)：
H05K 3/24
, H01L 21/52
, H05K 1/09
