特許

J-GLOBAL ID：200903004294839640

フォトマスクの作成方法及びアライメント方法

発明者： 谷 美幸
出願人/特許権者： 松下電器産業株式会社
代理人 (1件)： 前田 弘 (外7名)
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2000-168478
公開番号（公開出願番号）：特開2001-351843
出願日： 2000年06月06日
公開日（公表日）： 2001年12月21日
要約：

【要約】【課題】 半導体素子の製造工程において高精度のアライメント方法を実現するためのフォトマスクの作成方法及びアライメント方法を提供する。【解決手段】 被アライメントレイヤー用フォトマスクを用いて形成されたウエハの被アライメントレイヤーにおいて、素子分離用絶縁膜パターンからなる基板側第1所望パターン32と、基板側第1所望パターン32と同じ幅,間隔を有する基板側第1アライメントマーク33aと、この上に形成しようとするアライメントレイヤーの第2所望パターンと同じ幅,間隔を有する基板側第2アライメントマーク33bとが形成されている。基板側第1,第2アライメントマーク33a,33b間には、光の回折作用がフォトマスクのパターンの粗密によって異なることに起因するずれ量Δxが存在する。第1アライメントマーク33aを基準に位置合わせを行なう際に、ずれ量Δxだけアライメント位置を補正する。

請求項（抜粋）：

被アライメントレイヤー用フォトマスクに、基板側第1所望パターンを形成するためのマスク側第1所望パターンと、アライメントレイヤーに形成される基板側第2所望パターンと同じサイズを有するマスク側アライメントマークを形成することを特徴とするフォトマスクの作成方法。

IPC (3件)：

H01L 21/027 ,  G03F 1/08 ,  G03F 9/00

FI (4件)：

G03F 1/08 N ,  G03F 9/00 H ,  H01L 21/30 525 D ,  H01L 21/30 522 B

Fターム (18件)：

2H095BE03 ,  2H095BE08 ,  2H095BE09 ,  5F046AA25 ,  5F046BA04 ,  5F046EA03 ,  5F046EA09 ,  5F046EA10 ,  5F046EA15 ,  5F046EA18 ,  5F046EA19 ,  5F046EB01 ,  5F046EB02 ,  5F046EB05 ,  5F046EB07 ,  5F046EB08 ,  5F046EC05 ,  5F046ED01