特許

J-GLOBAL ID：200903004296706109

回路パターンの形成方法

発明者： 烏野 ゆたか ,  高橋 良郎 ,  中久木 穂 ,  板谷 哲
出願人/特許権者： 沖電気工業株式会社 ,  沖プリンテッドサーキット株式会社
代理人 (1件)： 佐々木 宗治 (外3名)
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平7-266873
公開番号（公開出願番号）：特開平9-116255
出願日： 1995年10月16日
公開日（公表日）： 1997年05月02日
要約：

【要約】【課題】 微細で高いアスペクト比を有し、上面の形状にも優れる回路パターンを形成す。【解決手段】 セラミック基板100上に銅膜102を形成した後、この銅膜の一部をレーザー光の照射により除去して導体膜と隔離する溝104を形成し、この溝の内側に形成された銅膜の一部のパターン状の導体膜の配線パターン102a上面及び側面をレジスト膜106で被覆し、このレジスト膜で被覆された配線パターン102a以外の銅膜102bを湿式法により除去し、レジスト膜を除去して基板上にパターン状の銅膜からなる回路パターンを形成する。

請求項（抜粋）：

基板上に導体膜を形成した後、この導体膜の一部をレーザー光の照射により除去して前記導体膜と隔離する溝を形成し、この溝の内側に形成された前記導体膜の一部のパターン状の導体膜の上面及び側面をレジスト膜で被覆し、このレジスト膜で被覆された前記パターン状の導体膜以外の前記導体膜を湿式法により除去し、前記レジスト膜を除去して前記基板上に前記パターン状の導体膜からなる回路パターンを形成することを特徴とする回路パターンの形成方法。

IPC (4件)：

H05K 3/06 ,  H05K 3/08 ,  H05K 3/40 ,  H05K 3/46

FI (4件)：

H05K 3/06 F ,  H05K 3/08 D ,  H05K 3/40 Z ,  H05K 3/46 N